随着我国智能电网、高铁建设、新能源汽车以及节能家电等市场的发展，对5英寸及6英寸晶闸管、IGCT(集成门极换流晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)的需求量巨大。
　　
记者了解到，2009年我国IGBT市场为53亿元左右，而未来几年随着节能减排的推进，IGBT市场规模将年增20%-30%。

但是，由于我国只有少数小功率IGBT的封装线，还不具备研发、制造管芯的能力和大功率IGBT的封装能力。因此目前国内市场所需的高端电力电子器件主要依赖进口，IGBT供应主要控制在英飞凌、三菱、ABB、富士等外资巨头手中，技术上长期受制于人。对此，国家发改委明确表示，2010年将支持金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、IGCT、IGBT、超快恢复二极管(FRD)等量大面广的新型电力电子芯片和器件的产业化。

据悉，国家发改委将组织实施新型电力电子器件产业化专项，鼓励符合条件的企业申请国家补贴资金支持。

国家补贴资金主要用于项目的研究开发、购置研究开发及工程化所需的仪器设备、改善工艺设备和测试条件、建设产业化或工程化验证成套装置和试验装置、建设必要的配套基础设施、购置必要的技术、软件等。